晶圓代工大廠近期動態(tài)頻頻，牽動晶圓代工版圖變動。世界先進公開表示，正式進軍12英寸晶圓代工，并再度開啟下個30年的技術(shù)策略轉(zhuǎn)型之路，碳化硅領(lǐng)域也收入發(fā)展版圖；印度首座12英寸晶圓廠已啟動，目前印度政府已經(jīng)批準了五座價值約180億美元的半導(dǎo)體工廠建設(shè)案；此外由臺積電建設(shè)的全球首座2nm晶圓廠，本月末將完工。行業(yè)多方表示，AI相關(guān)需求未來還將迸發(fā)更大潛力，臺積電的盈利還將進一步水漲船高。

       世界先進：進軍12英寸晶圓代工，五年后年營收來到1000億元新臺幣

       11月2日，世界先進董事長暨策略長方略表示，世界先進今年正式踏入12英寸晶圓代工并建新廠，公司與外界都對計劃充滿信心，盼五年后新廠滿載生產(chǎn)將使年營收從500億元新臺幣來到1000億元新臺幣。方略強調(diào)，公司年中時候公布和恩智浦合作投資78億美元建設(shè)一座12英寸晶圓廠，其中臺積電將提供所有需要的重要技術(shù)和資源。

       公開資料顯示，6月5日，世界先進和恩智浦半導(dǎo)體共同宣布，計劃在新加坡共同成立一家制造合資公司VisionPower Semiconductor Manufacturing Company（VSMC），興建一座12英寸晶圓廠。資金投入方面，該晶圓廠投資金額共計78億美元，世界先進將注資24億美元，并持有60%股權(quán)，恩智浦半導(dǎo)體將注資16億美元，持有40%股權(quán)，該晶圓廠將由世界先進公司營運。另外，雙方承諾將投入共19億美元的長期產(chǎn)能保證金及使用費，剩余資金（包括借款）將由其他單位提供。

       此座晶圓廠將采用130nm至40nm的技術(shù)，生產(chǎn)包括混合信號、電源管理和模擬產(chǎn)品，面向汽車、工業(yè)、消費性電子及移動終端等市場，相關(guān)技術(shù)授權(quán)及技術(shù)轉(zhuǎn)移預(yù)計將來自臺積電。VSMC將在獲得相關(guān)監(jiān)管機關(guān)核準后，于2024年下半年開始興建首座晶圓廠，并預(yù)計于2027年開始量產(chǎn)。2029年，該晶圓廠月產(chǎn)能預(yù)計將達5.5萬片12英寸晶圓，將在新加坡創(chuàng)造約1500個工作機會。同時，在首座晶圓廠成功量產(chǎn)后，合作雙方將考慮建造第二座晶圓廠。

       公開資料顯示，世界先進創(chuàng)辦人張忠謀在2004年，決定該廠策略轉(zhuǎn)型從DRAM轉(zhuǎn)作晶圓代工，至今該廠持續(xù)獲利。目前世界先進擁有五座8英寸晶圓廠，分別位于中國臺灣地區(qū)、新加坡。其中，共三座8英寸廠位于新竹，一座8英寸廠位于桃園。2023年平均月產(chǎn)能約27.9萬片8英寸晶圓。

       近兩年，世界先進再度開啟了下一個30年的技術(shù)策略轉(zhuǎn)型之路，其在互補式金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）、BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）、電源管理、 分離式元件（Discrete）等領(lǐng)域，均成為晶圓代工關(guān)鍵供應(yīng)廠。

       今年9月，世界先進與漢磊共同宣布簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議，將攜手合作推動化合物半導(dǎo)體碳化硅（SiC）八英寸晶圓的技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)制造；世界先進投資24.8億元新臺幣，參與漢磊私募普通股認購，以共同推動具競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品制造服務(wù)，創(chuàng)建雙方的長期戰(zhàn)略合作關(guān)系。從之可看出，第三代化合物半導(dǎo)體也已納入世界先進的發(fā)展版圖中。

       印度首座12英寸晶圓廠啟動

       11月1日，晶圓代工大廠力積電宣布，其與印度塔塔集團（Tata Electronics）合作建設(shè)印度首座12英寸晶圓廠計劃正式啟動，力積電已收到塔塔集團支付的Fab IP第一期款項，新廠建設(shè)計劃將積極推進。同時，通過客戶驗證的高容值中介層（Interposer）也將量產(chǎn)交貨。

       公開資料顯示，9月27日，力積電與印度塔塔集團旗下塔塔電子于新德里簽訂了雙方合作最終協(xié)議，力積電將提供技術(shù)授權(quán)（而非投資），協(xié)助塔塔電子在印度古吉拉特邦（Gujarat）多雷拉（Dholera）建設(shè)印度首座12英寸晶圓廠，并轉(zhuǎn)移成熟制程技術(shù)以及培訓(xùn)印度員工。根據(jù)雙方協(xié)議，這座12英寸晶圓廠總投資額將達110億美元，月產(chǎn)能5萬片，計劃于2026年完成12英寸晶圓廠的建設(shè)并投入量產(chǎn)，有望為當?shù)貏?chuàng)造超過2萬個高科技工作機會。

       據(jù)了解，該12英寸晶圓廠主要采用力積電的成熟制程技術(shù)，計劃生產(chǎn)電源管理、面板驅(qū)動芯片及微控制器、高速運算邏輯芯片等，主要面向車用、運算與數(shù)據(jù)存儲、無線通信及人工智能等終端應(yīng)用市場。所需的110億美元投資將主要來自于塔塔集團和印度政府，力積電提供制程技術(shù)、建廠及產(chǎn)線營運經(jīng)驗等（需要塔塔集團支付Fab IP相關(guān)費用），待該晶圓廠運營上軌道后，會逐步淡出合作設(shè)立的晶圓廠，后續(xù)可能僅以持股模式存在。

       力積電還透露，由于國際大型科技公司積極建置AI算力，公司定制化的高容值中介層在通過客戶驗證后已進入備貨階段，將于今年底開始量產(chǎn)出貨。力積電近年大力發(fā)展的Wafer on Wafer晶圓堆疊技術(shù)，也獲得大型合作伙伴認同，已開始投入量產(chǎn)四層DRAM晶圓堆疊產(chǎn)品，將于明年運交給客戶進行生產(chǎn)驗證，以配合下游客戶未來在Edge AI應(yīng)用的營銷規(guī)劃。

       據(jù)悉，印度已經(jīng)吸引了恩智浦、美光、泛林集團、力積電、高塔半導(dǎo)體、英偉達、AMD、以及應(yīng)用材料等國際半導(dǎo)體廠商的投資目光。具體在芯片制造領(lǐng)域，印度政府已經(jīng)批準了五座價值約180億美元的半導(dǎo)體工廠建設(shè)項目，主要涉及晶圓代工廠和封測廠。

       全球首座2nm晶圓廠，本月末將完工

       據(jù)供應(yīng)鏈最新消息，臺積電位于高雄P1廠首座2nm晶圓廠即將完工，臺積電計劃于11月26日邀請多方合作伙伴、行業(yè)專家及媒體共同參加進機典禮，該廠的設(shè)備安裝工作將于12月1日正式展開。

       臺積電方面表示，高雄晶圓廠項目自2021年11月正式宣布以來，一直按計劃順利推進。該廠于2022年開工，目前建設(shè)進度良好，并已完成了必要的公共基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)。臺積電強調(diào)，其高雄P1廠的建設(shè)和投產(chǎn)是公司在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)布局中的重要一環(huán)，旨在進一步鞏固其在先進制程技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

       在技術(shù)研發(fā)上，臺積電強調(diào)其2nm制程技術(shù)研發(fā)進展順利，效能和良率均按計劃實現(xiàn)，甚至部分表現(xiàn)優(yōu)于預(yù)期，2nm制程將如期在2025年進入量產(chǎn)，量產(chǎn)曲線預(yù)計與3nm相似。

       消息人士稱，臺積電2nm制造業(yè)務(wù)將在新竹科學(xué)園區(qū)（HSP）寶山F20廠區(qū)和高雄楠梓F22廠區(qū)進行。寶山廠預(yù)計年底實現(xiàn)小規(guī)模試產(chǎn)線（mini line）完工，將于2025年第四季度開始生產(chǎn)，月產(chǎn)能約為3萬片晶圓；高雄F22廠將于2026年第一季度開始商業(yè)化生產(chǎn)，月產(chǎn)能為3萬片晶圓。

       臺積電董事長兼首席執(zhí)行官魏哲家曾表示，2nm工藝的市場需求空前高漲。目前，2nm制程的計劃產(chǎn)能已經(jīng)超過了之前的3nm制程，這充分說明了市場對先進制程技術(shù)的強烈需求。魏哲家還透露，臺積電已經(jīng)向客戶驗證了2nm產(chǎn)品的藍圖，并提供了高于3萬美元的工藝報價。

       據(jù)臺積電近三年財報數(shù)據(jù)顯示，7nm及其以下營收占比越來越高，今年二、三季度先進工藝占76%和69%，成熟工藝占24%和31%。隨著先進制程占比不斷增加的還有利潤率，三季度營業(yè)凈利率47.5%，二季度則為42.5%，這在所有芯片代工企業(yè)中實屬罕見。

       而從應(yīng)用端看，今年牽引臺積電業(yè)績增長的主要是HPC高性能計算、手機、物聯(lián)網(wǎng)和汽車等領(lǐng)域。其中智能手機、AI相關(guān)領(lǐng)域?qū)?nm、3nm技術(shù)及更高性能制程需求強勁。行業(yè)多方表示，AI相關(guān)需求未來還將迸發(fā)更大潛力，臺積電的盈利還將進一步水漲船高。