在2010年9月14～17日于長崎大學(xué)舉行的第71屆應(yīng)用物理學(xué)會學(xué)術(shù)演講會上，日本大阪大學(xué)與產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所宣布，采用金剛石半導(dǎo)體制作出肖特基勢壘二極管（SBD），調(diào)查其溫度特性時發(fā)現(xiàn)，在25～200℃的溫度下關(guān)斷時的電流特性等不具有溫度依存性。
　　大阪大學(xué)與產(chǎn)綜研制作出了結(jié)合使用金剛石半導(dǎo)體及基于釕（Ru）的肖特基電極的SBD，并測量了其開關(guān)性能。據(jù)大阪大學(xué)等介紹，現(xiàn)已確認，該SBD可實現(xiàn)0.01μs的高速開關(guān)性能，依存于寄生電感及電流變化速度 di/dt的恢復(fù)電流僅為40A/cm2，并且損耗較小。即使在25～200℃的范圍內(nèi)改變溫度，其開關(guān)性能也不會發(fā)生變化。所以采用金剛石的SBD“有望應(yīng)用于無需使用冷卻裝置的電力轉(zhuǎn)換裝置”。
　　另據(jù)稱，現(xiàn)已確認，采用SiC的功率半導(dǎo)體IC在超過200℃的高溫下也可穩(wěn)定工作。不過，在這種高溫環(huán)境下利用時，存在如何確保焊錫耐熱性以及封裝等元件和周邊電路的耐熱性的課題。