申請號: 201710803582.0

申請日: 2017.09.08

國家/省市:中國武漢(83)

公開號: 107513698A

公開日: 2017.12.26

主分類號:C23C 16/32(2006.01)

分類號: C23C 16/32(2006.01); C23C 16/48(2006.01)

申請人: 武漢理工大學

發明人: 涂溶; 徐青芳; 章嵩; 張聯盟

代理人: 崔友明 李欣榮

代理機構:湖北武漢永嘉專利代理有限公司(42102)

申請人地址:湖北省武漢市洪山區珞獅路122號

摘要： 本發明公開了一種立方碳化硅涂層的制備方法，包括如下步驟：(1)將石墨基板放入冷壁式激光化學氣相沉積裝置的基板座上，抽真空，使壓強降10Pa以下；(2)通入H2作為稀釋氣體；(3)打開激光照射石墨基板表面，通過調節激光功率，使石墨快速升溫；(4)通入含有前驅體六甲基二硅烷(HMDS)的載流氣并調節反應室真空度至2500～4500Pa，保持10～30分鐘；(5)關閉激光、HMDS及稀釋氣，抽真空并自然冷卻至室溫。本發明沉積所得薄膜為立方碳化硅(β?SiC)薄膜，且不同的沉積條件下，可形成不同微觀形貌的β?SiC薄膜，可實現石墨材料表面潤濕性的可控調節，適合推廣應用。

主權利要求

1.一種立方碳化硅涂層的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：1)將石墨基板放入冷壁式激光化學氣相沉積裝置的基板座上，抽真空使壓強降到10Pa以下；2)通入稀釋氣；3)打開激光照射石墨基板表面，調節激光功率，使石墨基板升溫至沉積溫度并保溫；4)打開含HMDS的載流氣；5)調節反應室內壓強至沉積壓強，保持進行沉積反應；6)關閉激光、含有HMDS的載流氣和稀釋氣體，抽真空至1～10Pa，并自然冷卻至室溫，即在石墨基板上沉積得立方碳化硅涂層。