申請號: 201610121660.4
       主分類號: H01L 21/04(2006.01)
       申請人: 富士電機株式會社
       發明人: 河田泰之
       摘要： 本發明提供能夠抑制碳化硅基板的表面缺陷的碳化硅半導體裝置的制造方法。首先，在碳化硅基板1的離子注入面，形成依次層疊了硅膜2以及碳膜3的雙層結構的保護膜4，進行活化熱處理。硅膜2的厚度t為1nm以上且3nm以下。碳膜3的厚度為20nm以上。通過在活化熱處理后除去碳膜3，進行其后的工序而在碳化硅基板1的離子注入面形成單元結構。在除去碳膜3后，使用XPS法以X射線入射角度45°分析碳化硅基板1的離子注入面的情況下，在碳化硅基板1的離子注入面，以使出現在結合能285eV～286eV的sp2鍵的碳的峰值強度相對于出現在結合能283eV～284eV的碳化硅的峰值強度的比值為0.4以下的方式設定保護膜厚度。        主權利要求：1.一種碳化硅半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括：注入工序，從以碳化硅為材料的半導體基板的表面將雜質進行離子注入；形成工序，在所述半導體基板的離子注入了雜質的表面形成保護膜；和活化工序，對被所述保護膜覆蓋的狀態的所述半導體基板進行熱處理而使所述雜質活化，在所述形成工序中，形成第一保護膜和第二保護膜的雙層結構的所述保護膜，其中，所述第一保護膜在所述半導體基板的表面上形成，并且供給因所述熱處理導致所述半導體基板中不足的原子，所述第二保護膜在所述第一保護膜的表面上形成，并且抑制在所述熱處理時硅原子從所述半導體基板以及所述第一保護膜蒸發。