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一種低電阻率碳化硅陶瓷及其制備方法

關(guān)鍵詞碳化硅 , 陶瓷|2015-04-25 09:14:12|行業(yè)專利|來源中國磨料磨具網(wǎng)

摘要申請(qǐng)?zhí)?201410743574.8申請(qǐng)日:2014.12.08國家/省市:中國上海(31)

申請(qǐng)?zhí)? 201410743574.8
申請(qǐng)日: 2014.12.08
國家/省市: 中國上海(31)
公開號(hào): 104478438A
公開日: 2015.04.01
主分類號(hào): C04B 35/565(2006.01)
分類號(hào): C04B 35/565(2006.01); C04B 35/622(2006.01)
申請(qǐng)人: 中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所

發(fā)明人: 陳健; 黃政仁; 劉學(xué)建; 陳忠明; 姚秀敏; 袁明; 劉巖; 閆永杰; 朱云洲; 劉桂玲; 張輝
代理人: 曹芳玲鄭優(yōu)麗
代理機(jī)構(gòu): 上海瀚橋?qū)＠硎聞?wù)所（普通合伙）(31261)
申請(qǐng)人地址: 上海市長寧區(qū)定西路1295號(hào)

摘要：本發(fā)明涉及一種低電阻率碳化硅陶瓷及其制備方法，所述低電阻率碳化硅陶瓷的組成包括SiC、AlN、B4C、C，其中，AlN的含量1—5wt%，B4C的含量≤1wt%，C的含量為0—3wt%，其余為SiC。

主權(quán)利要求 1.一種低電阻率碳化硅陶瓷，其特征在于，所述低電阻率碳化硅陶瓷的組成包括SiC、AlN、B4C、C，其中，AlN的含量1—5wt%，B4C的含量≤1wt%，C的含量為0—3wt%，其余為SiC。

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