通城聚焦三大產(chǎn)業(yè)集群，打造高端電子元器件生產(chǎn)基地和制造業(yè)強縣

4月16日，咸寧市政府新聞辦舉行“當(dāng)好支點建設(shè)生力軍，加快打造武漢都市圈綠色發(fā)展重要增長極”系列主題新聞發(fā)布會（...

西電張金風(fēng)教授等在金剛石高壓功率器件領(lǐng)域取得重要進展

近日，西安電子科技大學(xué)郝躍院士團隊張進成教授、張金風(fēng)教授研究組在超寬禁帶半導(dǎo)體金剛石功率器件方向取得重要進展。在國際知名期刊《IEEEElectronDeviceLet...

深入解析 GaN 器件金剛石近結(jié)散熱技術(shù)：鍵合、生長、鈍化生長

在追求更高功率密度和更優(yōu)性能的電子器件領(lǐng)域，GaN（氮化鎵）器件因其卓越的性能而備受矚目。然而，隨著功率密度的不斷提升，器件內(nèi)部的熱積累問題日益嚴重，成為制約其發(fā)展的主...

第三代、第四代半導(dǎo)體襯底材料如何高效加工？器件散熱如何攻克？Carbontech半導(dǎo)體與加工主題論壇，上海見

金剛石半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化在即金剛石半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化在即！生長技術(shù)大幅度提升，金剛石從工業(yè)級-寶石級-熱學(xué)級-光學(xué)級-電子級，逐步躍遷，同時價格下行，帶動應(yīng)用端的嘗試。市場需求驅(qū)動...

打破近30年記錄！哈工大金剛石半導(dǎo)體器件重大突破

單片集成互補邏輯電路與高速光互聯(lián)建立在無數(shù)金屬-半導(dǎo)體接觸基礎(chǔ)之上，而低電阻且耐久的歐姆接觸是制約超寬禁帶半導(dǎo)體光電子器件性能與應(yīng)用的一大因素。近日，哈工大紅外薄膜與晶...

會議通知|2024半導(dǎo)體材料與電子元器件發(fā)展論壇

新能源車銷量不斷超預(yù)期 磁性元器件需求爆發(fā)

據(jù)乘聯(lián)會數(shù)據(jù)，2022年6月，新能源乘用車國內(nèi)零售銷量達到53.2萬輛，月零售銷量創(chuàng)新高，同比+131%，環(huán)比+48%，新能源車國內(nèi)零售滲透率27%，同比提升13pct...

鄭州大學(xué)金剛石光電材料與器件研究團隊榮獲“全國專業(yè)技術(shù)人才先進集體”稱號

11月3日，記者從河南省人社廳獲悉，近日，第六屆全國杰出專業(yè)技術(shù)人才表彰會在京召開，河南師范大學(xué)常俊標(biāo)教授、河南...

金剛石半導(dǎo)體器件的研究進展

摘要:金剛石因其優(yōu)異的物理化學(xué)特性,被視為下一代電力電子器件的終極材料,金剛石半導(dǎo)體器件的制備受到了科研工作者的廣泛關(guān)注?文章對金剛石基二極管?開關(guān)器件和邊緣終止效應(yīng)等...

補短板，電子元器件產(chǎn)業(yè)如何突破瓶頸？

閱讀提示眼下，我國已成為全球電子元器件第一大生產(chǎn)國，但無論是技術(shù)水平還是產(chǎn)業(yè)化能力，與國際先進水平相比都存在較大差距。如何補齊短板，成為工信部和相關(guān)行業(yè)、企業(yè)共同面臨的...

工信部：電子元器件產(chǎn)業(yè)迎重磅政策支持

工業(yè)和信息化部日前召開新聞發(fā)布會，記者從會上獲悉，工信部近日印發(fā)《基礎(chǔ)電子元器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展行動計劃（2021—2023年）》（下稱《行動計劃》），將面向智能終端、5G、工...

細數(shù)國外金剛石半導(dǎo)體材料和器件發(fā)展情況

以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼等為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體材料（禁帶寬度＞4.5eV）的研究和應(yīng)用，近年來不斷獲得技術(shù)的突破。這類半導(dǎo)體材料具有更高的禁帶寬度、熱導(dǎo)率以及...

國內(nèi)手機市場不景氣出貨量暴跌20%：元器件廠商紛紛調(diào)整產(chǎn)能

自2017年底開始，全球手機市場就開始陷入出貨量同比下降的旋窩，2018年全球智能手機市場依然維持了下降的趨勢，且這種趨勢至今依然還未緩解，試圖通過5G帶動手機市場銷量...

我國第三代半導(dǎo)體器件制備及評價技術(shù)取得突破

氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體材料，具備高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高電子飽和速率及抗強輻射能力等優(yōu)異性能，更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率電子...

第五屆單晶金剛石及其電子器件國際研討會在西安召開

2018年6月9-12日，由陜西省科學(xué)技術(shù)協(xié)會、西安交通大學(xué)和單晶金剛石及其電子器件泛太平洋國際研發(fā)與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟聯(lián)合主辦，陜西省真空學(xué)會、西安交通大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體材料與器...

我國碳化硅器件制造關(guān)鍵裝備研發(fā)取得重大進展

以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是全球戰(zhàn)略競爭新的制高點。SiC器件具有極高的耐壓水平和能量密度，可有效降低能量轉(zhuǎn)化損耗和裝置的體積重量，滿足電力傳輸、機車索...

集成電路產(chǎn)業(yè)新突破 6英寸碳化硅器件生產(chǎn)線在京成功通線

2018年2月1日,北京市高精尖項目——6英寸碳化硅器件生產(chǎn)線在北京世紀金光半導(dǎo)體有限公司成功通線。這是一條具有...

單晶金剛石及電子器件國際論壇會議通知

單晶金剛石及電子器件國際論壇（SCDE2017）將于2017年6月10日-14日在西安舉辦。本論壇是一個為各層次...

美國研發(fā)出金剛石/氮化硼晶體層可用于高功率器件

近日，北卡羅來納州立大學(xué)的材料研究人員已經(jīng)開發(fā)出一種對新技術(shù)，將金剛石沉積在立方體氮化硼表面（c-BN），結(jié)合成一個新的單晶體結(jié)構(gòu)。“這種材料可以用來制造大...

新技術(shù)突破改善碳化硅功率器件

日本東京大學(xué)近日研發(fā)新型碳化硅絕緣薄膜生長技術(shù)，極大地改善了碳化硅功率器件的性能。高性能功率器件常用在高壓、大電...